生产厂家：
台湾铠柏科技有限公司(定制)；
功能：
该设备定位于磁电子材料、多铁性材料、阻变材料(包括电致阻变和压致阻变)等新型多功能薄膜材料的研究，能够生长高质量的金属、简单氧化物、复杂氧化物薄膜，以及由它们组成的异质薄膜结构。此外，这套设备还满足磁电子学器件的小规模生产试验，可以应用于中试生产；
特征参数：
该设备是一个多种薄膜制备手段的联合，包含磁控溅射、脉冲激光沉积(PLD)两部分。不同薄膜制备方式可以独立工作，样品可以在真空环境内传递到各个制样设备中；
使用超高真空腔体，本底真空优于10-9 Torr，同时含有快速进样室(Load lock)；
衬底尺寸至可达4 inch，温度可达800 oC，可以进行面内自转以提高薄膜的均匀性，4 inch薄膜样品的厚度均匀性优于5%；
磁控溅射配置6个溅射靶位，4个直流溅射(其中2个用于强磁材料的溅射)、2个交流溅射，同时配置Thickness monitor。脉冲激光沉积配备6个靶位。
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