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研究方向

多功能阻变信息存储材料与器件
日期:2015-07-17, 查看:3222

       存储器是现代信息技术的核心和基石。开发基于新结构、新原理和新材料的新型存储器,有利于信息技术的发展和进步。阻变存储器(RRAM)是基于电致阻变效应而提出的一种新型存储技术,其工作核心是通过器件电阻状态的精准调控实现信息的编码与存储。我们一直围绕阻变存储器中纳米导电通道和界面结构的可控构建与有效调控等共性和基础科学问题开展工作,重点致力于通过电场、光照、磁场对材料或者器件的电阻状态进行精确高效调控的新方法与物理机制研究,探索实现阻变存储器多值化、功能化以及柔性化等的有效途径,从而推动信息技术发展过程中所面临的摩尔定律极限以及冯诺依曼瓶颈等问题的解决。

       该方向以阻变随机存储器为基础,通过多种物理场调控离子的分布、电荷以及磁矩等状态,使器件阻态发生非易失性连续变化,主要包括: 

      (1)阻变材料的制备与物性调控;

      (2)离子状态在多种物理场作用下的演化及其微观机制;

      (3)离子状态对材料结构、微结构以及物理性质(电阻态)的影响规律等关键科学问题。

 

变存储器结构及工作原理