磁电子材料与器件研究组

       存储器是现代信息技术的核心和基石之一。开发基于新原理、新结构、新材料的新型高性能存储器，有利于信息技术的发展和进步。阻变存储器（RRAM）是基于电致阻变效应而提出的一种新型存储技术，其工作核心是通过器件电阻状态的精准调控实现信息的编码与存储。我们一直围绕阻变存储器中纳米导电通道和界面结构的可控构建与有效调控等关键和共性基础科学问题开展工作，重点致力于利用电、光、磁、力等多物理场对器件电阻状态进行精确调控的新方法及相关物理机制研究，探索实现器件多值化、功能化和柔性化的有效途径，从而推动信息技术发展过程中所面临的摩尔定律极限以及冯·诺依曼瓶颈等问题的解决，也为柔性可穿戴电子技术发展提供重要支撑。

      该方向以阻变存储器为基础，通过多种物理场调控器件内部离子/原子的迁移、分布、电荷以及磁矩等状态，使器件阻值发生非易失性且可逆变化，揭示相关物理规律和机制，并探索其在柔性电子学、人工智能等新兴领域的潜在应用。主要研究内容包括： 

    （1）器件内部的离子/原子状态在多种物理场作用下的演化过程及机制； 

    （2）器件内部的离子/原子状态对器件宏观电输运特性的影响规律及机制；

    （3）柔性/弹性阻变存储材料与器件的制备及性能优化；

    （4）类脑神经形态阻变材料与器件的设计、制备及应用。