我们提出了一种改善Cu/ZnO/Pt结构电致电阻性能的方法。通过高温氮掺杂，一方面ZnO薄膜可以保持高的初始电阻，从而确保电致电阻效应的发生，另一方面ZnO薄膜的晶粒增大，晶界减少。我们发现，对于Cu/ZnO/Pt结构，电致电阻发生的机制为Cu导电丝的形成和断裂，并且导电丝在ZnO晶界处发生通断。因此，对于高温氮掺杂的ZnO薄膜，晶界数目减少可以有效降低导电丝通断的随机性，从而改善电致电阻稳定性。Cu/ZnO/Pt结构电致电阻的开关时间只需要10 ns。
该研究工作973子课题、国家自然科学基金、浙江省自然科学基金、浙江省钱江人才计划和宁波市自然科学基金支持。
a)ZnO室温保持性；b)N-ZnO的保持性；c)ZnO的VSET和VRESET；d)N-ZnO的VSET和VRESET
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