磁电子材料与器件研究组

孙丹丹，硕士。

E-mail: sundandan@nimte.ac.cn

主要简历：

2010年6月毕业于合肥工业大学电子科学与应用物理学院，获学士学位；

2013年6月毕业于电子科技大学微电子与固体电子学院，攻读硕士学位；

2013年7月加入中国科学院宁波材料技术与工程研究所，担任高级助理；

2015年12月晋升为工程师。

研究方向：

柔性敏感材料与可穿戴器件

代表性论文：

1. 孙丹丹, 陈智, 文岐业, 邱东鸿, 赖伟恩, 董凯, 赵碧辉, 张怀武. 二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究. 物理学报, 2013, 62 (1), 017202.

2. D.D Sun, Z. Chen, Q.Y. Wen, D.H. Qiu, W.E. Lai, K. Dong, B.H. Zhao, H.W. Zhang. Low temperature growth of VO2 film and giant modulation to terahertz transmission. Laser and Terahertz Science and Technology. Laser and TeraHertz Science and Technology, Wuhan China, 2012.

3. Z. Chen, Q.Y. Wen, K. Dong, D.D. Sun, D.H. Qiu, H.W. Zhang. Ultrafast and broadband terahertz switching based on photo-induced phase transition in vanadium dioxide films. Chin. Phys. Lett. 2013, 30(1), 017102.

4. K. Dong, Q.Y. Wen, W.E. Lai, Z. Chen, D.D Sun, H.W. Zhang. Effect of polymide films on reflection properties of metal hole arrays. Laser and Terahertz Science and Technology Wuhan China, 2012.

5. 董凯, 赖伟恩, 孙丹丹, 文岐业, 张怀武. 基于金属孔阵列的聚酰亚胺薄膜太赫兹探测. 强激光与粒子束, 2013, 25(6): 1479-1482.

代表性专利：

1. 孙丹丹，王保敏，李润伟，沈渊；一种NiMnX合金靶材的制备方法；中国发明专利；申请号：201510154558.X；
2. 王保敏，沈渊，孙丹丹，李润伟；拓展一级磁相变材料作为磁致冷材料应用时的制冷温区的方法；中国发明专利；申请号：201510377221.5
3. 刘宜伟，李辉辉，李润伟，巫远招，孙丹丹；一种压磁式应力传感器；中国发明专利；申请号：201520132555.1
4. 李辉辉，刘宜伟，李润伟，巫远招，孙丹丹；一种电感式应力传感器；中国发明专利；申请号：201520132728.X
5. 巫远招，刘宜伟，李润伟，李辉辉，尚杰，孙丹丹；一种用于探测微弱应力的传感器；中国发明专利；申请号：201520132692.5