磁电子材料与器件研究组

　　10月28日，应中国科学院宁波材料技术与工程研究所中科院磁性材料与器件重点实验室汪志明研究员邀请，中科院物理研究所副研究员、博士生导师葛琛来访宁波材料所，并作了题为“氧化物界面调控与类脑应用”的学术报告。

　　葛琛首先对研究背景作了简要介绍，他指出，类似于人脑的神经网络型信息处理模式功耗远小于传统架构计算机，而高能耗正制约着人类社会的可持续发展，因此，开发符合神经形态计算特性的电子器件，进而构建大规模人工神经网络，最终实现高性能、低功耗的“类脑芯片”，已成为后摩尔时代信息科技发展的一个重要方向。近几年来，围绕极化场调控功能氧化物界面的基本科学问题，探索实现高性能的人工突触器件，已取得一些进展。随后，葛琛在报告中详细介绍了其团队通过离子液体、铁电极化等实现高性能突触器件的相关研究工作及成果。报告结束后，在场师生就氧化物界面在神经形态人工突触器件方面的应用潜力等问题展开了热烈讨论。

　　葛琛，中科院物理研究所副研究员、博士生导师，入选中科院青年创新促进会，担任国家重点研发计划课题负责人。2007-2012年在中科院物理所师从杨国桢院士攻读硕博连读学位，留所工作至今。一直从事激光分子束外延方法制备功能氧化物异质结构及新型信息器件研究，在Science、Nat. Mater.、Adv. Mater.、Phys. Rev. B等期刊上发表SCI论文70余篇。承担国家重点研发计划、国家自然科学基金委、中国科学院等的多个项目。长期担任Nat. Commun.、Adv. Mater.、NanoLett.等期刊审稿人。

报告会现场

在场师生提问交流

　　（中科院磁性材料与器件重点实验室 赵珂楠）