磁电子材料与器件研究组

朱小健，研究员，博士生导师

Email: zhuxj@nimte.ac.cn

主要简历：

2009年本科毕业于苏州大学，2014年博士毕业于中科院宁波材料所。2015-2020年在美国密歇根大学做博士后，2020年加入中科院宁波材料所。

研究领域：类脑计算材料与器件

长期围绕基于忆阻器的新型类脑计算技术开展研究工作，在忆阻型神经形态器件和网络的机理、设计和应用方面取得了原创性成果。迄今共发表学术论文40余篇，被引用2300余次，第一作者论文发表在Nature Materials、Nature Communications、Advanced Materials（3篇）和ACS Nano（2篇）等杂志，多篇论文入选杂志封面，研究成果受到Science Daily等国际科技媒体报道，长期担任Nature Communications等杂志审稿人。曾获中科院院长优秀奖、中科院优博论文奖、中国电子学会优博论文奖和中国电子学会科学技术二等奖等奖项。

代表性论文：

1. Xiaojian Zhu, Qiwen Wang and Wei D. Lu. Memristor networks for real-time neural activity analysis. Nature Communications 11, 2439 (2020)
2. Xiaojian Zhu, Da Li, Xiaogan Liang and Wei D. Lu. Ionic modulation and ionic coupling effects in MoS₂ devices for neuromorphic computing. Nature Materials 18, 141 (2019)
3. Xiaojian Zhu and Wei D. Lu. Optogenetics-Inspired Tunable Synaptic Functions in Memristors. ACS Nano 12, 2, 1242 (2018)
4. Xiaojian Zhu, Jihang Lee and Wei D. Lu. Iodine vacancy redistribution in organic-inorganic halide perovskite films and resistive switching effects. Advanced Materials 29, 1700527 (2017)
5. Xiaojian Zhu, Wenjing Su, Yiwei Liu, Benlin Hu, Liang Pan, Wei Lu, Jiandi Zhang and Run-Wei Li. Observation of Conductance Quantization in Oxide-Based Resistive Switching Memory. Advanced Materials 24 3941 (2012)